德國(guó)賽米控/西門康IPM智能功率模塊SKiiP2414GB17E4-4DUK310；
<span "="" style="margin: 0px; padding: 0px; border: 0px; outline: 0px;">北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司供應(yīng)西門康IGBT模塊SKiiP2414GB17E4-4DUK310
西門康SKiiP4系列IPM智能功率模塊
| SKiiP1203GB172-2DFL品牌 | 賽米控SEMIKRON |
| SKiiP1203GB172-2DFL產(chǎn)地 | 德國(guó) |
| SKiiP1203GB172-2DFL技術(shù)參數(shù) | VCES=1200V; IC=1200A |
| SKiiP1203GB172-2DFL產(chǎn)品屬性 | 西門康SKiiP4系列智能igbt模塊 |
供應(yīng)西門康IGBT模塊SKiiP2414GB17E4-4DUK310
風(fēng)電 光伏新能源 電廠用IGBT模塊
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售供應(yīng)西門康IGBT模塊SKiiP2414GB17E4-4DUK310
| 品牌 | 賽米控/西門康SEMIKRON |
| 產(chǎn)地 | 德國(guó) |
| 技術(shù)參數(shù) | VCES=1700V; IC=2400A |
| 產(chǎn)品屬性 | 西門康SKiiP4系列智能igbt模塊 |
西門康IPM功率模塊SKiiP2414GB17E4-4DUK310是一款大功率2單元半橋結(jié)構(gòu)IPM智能功率模塊內(nèi)置igbt半橋電路%2BNTC
供應(yīng)西門康IGBT模塊SKiiP2414GB17E4-4DUK310
1200V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
SKIIP1814GB12E4-3DL 1200V----1800A
SKIIP1814GB12E4-3DW 1200V----1800A
SKIIP2414GB12E4-4DL 1200V----2400A
SKIIP2414GB12E4-4DW 1200V----2400A
SKIIP3614GB12E4-6DL 1200V----3600A
SKIIP3614GB12E4-6DW 1200V----3600A
1700V-igbt 3(Trench)-SKIIP 3
SKIIP1013GB172-2DL V3 1700V----1000A
SKIIP1203GB172-2DW V3 1700V----1200A
SKIIP1513GB172-3DL V3 1700V----1500A
SKIIP1803GB172-3DW V3 1700V----1800A
SKIIP2013GB172-4DL V3 1700V----2000A
SKIIP2403GB172-4DW V3 1700V----2400A
SKIIP1513GB172-3DUL V3 1700V----500A
SKIIP603GD172-3DUW V3 1700V----600A
1700V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
SKIIP1814GB17E4-3DL 1700V----1800A
SKIIP1814GB17E4-3DW 1700V----1800A
SKIIP2414GB17E4-4DL 1700V----2400A
SKIIP2414GB17E4-4DW 1700V----2400A
SKIIP3614GB17E4-6DL 1700V----3600A
SKIIP3614GB17E4-6DW 1700V----3600A
SKiiP 1814 GB12E4-3DUW
1200V - IGBT 3 (Trench) - SKiiP3
SKiiP 603 GD123-3DUL V3
SKiiP 603 GD123-3DUW V3
SKiiP 613 GD123-3DUL V3
SKiiP 613 GD123-3DUW V3
SKiiP 1213 GB123-2DL V3
SKiiP 1213 GB123-2DW V3
SKiiP 1813 GB123-3DL V3
SKiiP 1813 GB123-3DW V3
SKiiP 2413 GB123-4DL V3
SKiiP 2413 GB123-4DW V3
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上；
IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來越多見；
IGBT是能源變換與傳輸?shù)钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”，作為新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用
SKiiP2403GB172
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝供應(yīng)IPM模塊
SKiiP3614GB12E4-6DUW
SKiiP3614GB12E4-6DULR
SKiiP513GD172-3DUL V3
SKiiP513GD172-3DUW V3
SKiiP603GD172-3DUL V3
SKiiP603GD172-3DUW V3
SKiiP1013GB172-2DL V3
SKiiP1013GB172-2DW V3
SKiiP1203GB172-2DL V3
SKiiP1203GB172-2DW V3
SKiiP1513GB172-3DL V3
SKiiP1513GB172-3DW V3
SKiiP1803GB172-3DL V3
SKiiP2013GB172-4DK0376
SKiiP2013GB172-4DK0255
