2-6寸本征高阻不摻雜拋光硅片參數規格
生長方式: 區熔 FZ
晶向: 111/100
電阻: 800-5000Ω·cm(電阻范圍可選、也可按照客戶需要訂制)
厚度: 300-5000μm(厚度范圍可選、也可按照客戶需要訂制)
平整度TIR:<3μm
彎曲度Bow: <15μm
翹曲度TTV: <15μm
粗糙度nm : <0.5nm
庫存現有厚度:需訂制
盒裝硅片 :25片裝(鍍鋁箔真空包裝)
上述概括了此產品參數,對產品有其它厚度或者參數要求請與本公司詳談!聯系方式:13735050004
郵箱 :17243284@qq.com
阿里巴巴誠信通:http://gueipian2008.cn.alibaba.com/