來(lái)自日本東京工業(yè)大學(xué)和早稻田大學(xué)的一個(gè)研究小組已經(jīng)開發(fā)出一種生產(chǎn)薄膜單晶硅太陽(yáng)能電池的新技術(shù)，該技術(shù)有望顯著降低生產(chǎn)成本，同時(shí)保持電池的轉(zhuǎn)化效率。

科學(xué)家聲稱他們能夠開發(fā)出高質(zhì)量薄膜單晶硅，厚度約10μm，晶體缺陷密度也有所降低。硅的密度已經(jīng)降低到了硅晶圓純度的水平。

研究小組解釋說(shuō)，具有高結(jié)晶質(zhì)量的單晶薄膜是通過(guò)區(qū)域加熱重結(jié)晶法(ZHR法)使硅片表面粗糙度達(dá)到0.2至0.3nm而獲得的。“使用雙層多孔硅層可以容易地剝離生長(zhǎng)的薄膜，而且得到的基底可以被再利用或者用作薄膜生長(zhǎng)的蒸發(fā)源，這大大減少了材料的損耗。”

據(jù)科學(xué)家介紹，這一實(shí)驗(yàn)過(guò)程同時(shí)還證明了在0.1-0.2nm范圍內(nèi)的硅片表面粗糙度對(duì)晶體缺陷密度的形成具有重要的影響。