德國 WETTENBERG 2011年6月16日電 /美通社亞洲/ -- PVA TePla AG - 位于德國 Wettenberg 的硅晶體生長設備及高溫真空設備制造商,近日將正式推出其最新研發并具備更大加料量的第五代多晶硅鑄錠設備(G5)。該新型產品被命名為 MultiCrystallizer VGF732Si HC。
Multi Crystallizer 是一種采用定向凝固法(基于垂直梯度定向凝固的生產工藝)制備多晶硅錠的設備,由該設備生產的硅鑄錠被進一步加工生產后,用于制取光伏產業所必需的多晶硅片。
新型 HC 設備,通過使用較高 G5 的坩堝(G5:坩堝高度 480-520mm;舊標準:420mm)從而得以實現最大560公斤的高裝料量。
該型設備具備獨特的熱場溫控系統,通過熱區卓越的溫度均勻性,使得鑄錠直至外表面都可以實現柱狀凝固,為理想的高鑄錠工藝創造了完美的條件,本機生產的高鑄錠具備與之前由 420mm 坩堝制備的硅錠相同的晶體質量水平。從該硅錠中生產出的硅片電池效率較行業標準平均高出0.4個百分點,并且硅錠良品率達到了75%(硅錠可用重量相對于硅錠總重量)。
通過較高的裝料量,可在 480mm 坩堝內得到最佳高度 250mm 的硅塊,該有效高度值意味著硅片切割的最高利用率,并且由此為客戶帶來經濟效益的顯著提高。
此外鑒于 MultiCrystallizer VGF732Si HC 設備的獨立加熱和冷卻方式,該設備同樣特別適用于準單晶制備工藝。晶體生長工藝中穩定的結晶面可避免故障的發生,并且有助于獲得最佳的準單晶結構。
關于設備祥情,請聯系:
Roger Pingel 先生
PVA TePla AG
電話:+49(0)641/68690-151
電郵:Roger.pingel@pvatepla.com
http://www.pvatepla.com
消息來源 PVA TePla AG
Multi Crystallizer 是一種采用定向凝固法(基于垂直梯度定向凝固的生產工藝)制備多晶硅錠的設備,由該設備生產的硅鑄錠被進一步加工生產后,用于制取光伏產業所必需的多晶硅片。
新型 HC 設備,通過使用較高 G5 的坩堝(G5:坩堝高度 480-520mm;舊標準:420mm)從而得以實現最大560公斤的高裝料量。
該型設備具備獨特的熱場溫控系統,通過熱區卓越的溫度均勻性,使得鑄錠直至外表面都可以實現柱狀凝固,為理想的高鑄錠工藝創造了完美的條件,本機生產的高鑄錠具備與之前由 420mm 坩堝制備的硅錠相同的晶體質量水平。從該硅錠中生產出的硅片電池效率較行業標準平均高出0.4個百分點,并且硅錠良品率達到了75%(硅錠可用重量相對于硅錠總重量)。
通過較高的裝料量,可在 480mm 坩堝內得到最佳高度 250mm 的硅塊,該有效高度值意味著硅片切割的最高利用率,并且由此為客戶帶來經濟效益的顯著提高。
此外鑒于 MultiCrystallizer VGF732Si HC 設備的獨立加熱和冷卻方式,該設備同樣特別適用于準單晶制備工藝。晶體生長工藝中穩定的結晶面可避免故障的發生,并且有助于獲得最佳的準單晶結構。
關于設備祥情,請聯系:
Roger Pingel 先生
PVA TePla AG
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電郵:Roger.pingel@pvatepla.com
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