2012年6月8日，《采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法測量太陽能級硅中痕量元素的測試方法》行業(yè)標準啟動會在無錫市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心六樓視頻會議室召開。來自中國電子技術(shù)標準化研究院、北京有色金屬研究總院、江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司、中科院上海硅酸鹽研究所、中科院福建物構(gòu)所、國家硅材料深加工產(chǎn)品質(zhì)檢中心、江西賽維LDK、埃文思分析集團、國家太陽能光伏質(zhì)檢中心（CPVT）等單位的專家和領(lǐng)導出席了會議。

　　該標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會歸口管理，由國家太陽能光伏產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心（CPVT）負責起草。標準參考SEMI PV1-0309標準并充分結(jié)合了我國采用高分辨率輝光放電質(zhì)譜法測量太陽能級硅中痕量元素的實際情況，于2012年5月完成了標準的草案。

　　本次會議由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會馮亞斌專員主持，國家光伏質(zhì)檢中心（CPVT）何莉、姚鳳花、周瀅等作為該標準的主要起草人對標準的制訂情況作了相關(guān)的說明與介紹。與會專家對標準草案進行了充分討論，對草案的個別條款提出了修改意見，并最終達成共識。在各位專家的共同努力下，形成了該標準的討論稿。

　　據(jù)有關(guān)專家介紹，該項標準的制訂，將為太陽能級硅中痕量元素的測試建立一個準確、便捷、高效的方法，填補行業(yè)空白。