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【發布單位】中華人民共和國商務部
【發布文號】公告2012年第41號
【發布日期】2012-07-20
中華人民共和國商務部于2012年7月2日正式收到江蘇中能硅業科技發展有限公司、江西賽維LDK光伏硅科技有限公司、洛陽中硅高科技有限公司和大全新能源有限公司（以下簡稱"申請人"）代表國內多晶硅產業提交的書面申請，申請人請求對原產于美國的進口太陽能級多晶硅進行反補貼調查。
根據《中華人民共和國反補貼條例》第十六條規定，2012年7月9日，商務部就有關反補貼調查事項向美國政府發出進行磋商的邀請，并于7月17日與美方進行了磋商。
商務部依據《中華人民共和國反補貼條例》有關規定，對申請人的資格、申請調查產品的有關情況、中國同類產品的有關情況、申請調查產品對國內產業的影響、申請調查國家的有關情況等進行了審查。同時，商務部就申請書中提供的涉及補貼、損害及補貼與損害之間的因果關系等方面的證據進行了審查。申請人提供的初步證據表明，申請人江蘇中能硅業科技發展有限公司、江西賽維LDK光伏硅科技有限公司、洛陽中硅高科技有限公司和大全新能源有限公司太陽能級多晶硅產量之和在2008年、2009年、2010年、2011年、2012年1月至4月期間占同期中國同類產品總產量的比例均超過50%，符合《中華人民共和國反補貼條例》第十一條、第十三條和第十七條有關國內產業提出反補貼調查申請的規定。同時，申請書中包含了《中華人民共和國反補貼條例》第十四條、十五條規定的反補貼調查立案所要求的內容及有關證據。
根據上述審查結果及《中華人民共和國反補貼條例》第十六條規定，商務部決定自2012年7月20日起對原產于美國的太陽能級多晶硅進行反補貼調查。現將有關事項公告如下：
一、立案調查及調查期
自本公告發布之日起，商務部對原產于美國的太陽能級多晶硅進行反補貼調查，本次調查確定的補貼調查期為2011年7月1日至2012年6月30日，產業損害調查期為2008年1月1日至2012年6月30日。
二、被調查產品及調查范圍
調查范圍：原產于美國的進口太陽能級多晶硅產品。
被調查產品名稱：太陽能級多晶硅。英文名稱：Solar-Grade Polysilicon。
被調查產品的具體描述：以氯硅烷為原料采用（改良）西門子法和硅烷法等工藝生產的棒狀多晶硅、塊狀多晶硅、顆粒狀多晶硅產品。
被調查產品電學參數為：基磷電阻率<300歐姆?厘米（Ω? cm）；基硼電阻率<2600歐姆?厘米（Ω? cm）；碳濃度>1.0×1016（at/cm3）；n型少數載流子壽命<500μs；施主雜質濃度>0.3×109;受主雜質濃度>0.083×109。
主要用途：主要用于太陽能級單晶硅棒和定向凝固多晶硅錠的生產，是生產晶體硅光伏電池的主要原料。
該產品歸在《中華人民共和國進出口稅則》：28046190。該稅則號項下電子級多晶硅不在本次調查產品范圍之內。
三、反補貼調查項目
在提交的申請書中，申請人主張美國政府向涉案產業和企業提供的補貼項目共計20個。經過審查，本次調查中包括如下申請人指控的補貼項目：
聯邦政府項目
1、先進能源制造業稅金抵免
地方政府項目
2、密執安州光伏制造業稅金抵免
3、密執安經濟發展局-高技術企業稅金抵免
4、密執安州"經濟蕭條地區"企業的動產稅免除
5、密執安州"工廠復興區"和"工業發展區"內企業的財產稅免除
6、密執安州高技術"錨企業"因吸引其他企業投資而獲得的稅收抵免
7、密執安州可替代能源企業的密執安州營業稅抵免
8、密執安州"可再生能源復興區"內企業的稅收免除
9、密執安州可替代能源動產稅免除
10、密執安州運輸部-運輸經濟發展基金A 類撥款
11、田納西州-為Hemlock 的多晶硅生產廠區修建基礎設施
12、田納西州-為Hemlock的員工培訓提供撥款
13、田納西州-蒙特高梅縣低于對價向Hemlock 提供土地
14、華盛頓州太陽能制造企業適用較低的商業和職業稅稅率
15、華盛頓州高科技企業基于研發費用的商業和職業稅抵免
16、愛達荷州-波卡特洛市向Hoku公司無償提供土地使用權
以下申請人指控的補貼項目不予調查：
1、密執安經濟發展局-創造就業企業的營業稅抵免
2、密執安州經濟發展就業培訓項目
3、賓西法尼亞州機械和設備優惠貸款
4、愛達荷州員工發展培訓基金
四、登記應訴
就補貼調查，任何利害關系方、利害關系國政府可于本公告發布之日起20天內，向商務部進出口公平貿易局申請參加應訴，參加應訴的涉案出口商、生產商應同時提供2011年7月1日至2012年6月30日向中國出口本案被調查產品的數量及金額。《補貼調查應訴登記參考格式》公開版可在中華人民共和國商務部網站進出口公平貿易局子網站（網址為http://gpj.mofcom.gov.cn）"案件動態"欄目下載。
就產業損害調查，利害關系方、利害關系國政府可自本公告發布之日起20天內，向商務部產業損害調查局登記應訴，同時利害關系方應提供產業損害調查期內的生產能力、產量、庫存、在建和擴建計劃以及向中國出口本案被調查產品的數量和金額等說明材料。《參加太陽能級多晶硅產品反補貼案產業損害調查活動申請表》可在"中國貿易救濟信息網"上應訴登記欄目（網址為：http://www.cacs.gov.cn）下載。
五、不登記應訴
如利害關系方和利害關系國政府未在本公告規定的時間內向商務部登記應訴，則商務部有權拒絕接受其遞交的有關材料，并有權根據所掌握的現有材料作出裁定。
六、利害關系方和利害關系國政府的權利
利害關系方和利害關系國政府可在中華人民共和國商務部網站進出口公平貿易局子網站（網址為http://gpj.mofcom.gov.cn）"案件動態"欄目下載本案申請人提交的申請書的非保密文本，或到商務部公開信息查閱室（電話：010-65197878）進行查閱。
利害關系方和利害關系國政府對本次調查的產品范圍、申請人資格、被調查國家及其他相關問題如有異議，可以于上述登記應訴期間內將書面意見提交商務部。
七、調查方式
調查機關可以采用問卷、抽樣、聽證會、現場核查等方式向有關利害關系方和利害關系國政府了解情況并進行調查。
八、本次調查自2012年7月20日起開始，通常應在2013年7月20日前結束調查，特殊情況下可延長至2014年1月20日。
九、商務部聯系地址：
北京市東長安街2號 郵編：100731
商務部進出口公平貿易局
電話：86－10－65198196，65198746，65198747
傳真：86－10－65198164
商務部產業損害調查局
電話：86－10－65198062，65198074，65198190
傳真：86-10-65197578
附件:太陽能級多晶硅反補貼調查應訴登記參考格式
中華人民共和國商務部
二○一二年七月二十日
【發布文號】公告2012年第41號
【發布日期】2012-07-20
中華人民共和國商務部于2012年7月2日正式收到江蘇中能硅業科技發展有限公司、江西賽維LDK光伏硅科技有限公司、洛陽中硅高科技有限公司和大全新能源有限公司（以下簡稱"申請人"）代表國內多晶硅產業提交的書面申請，申請人請求對原產于美國的進口太陽能級多晶硅進行反補貼調查。
根據《中華人民共和國反補貼條例》第十六條規定，2012年7月9日，商務部就有關反補貼調查事項向美國政府發出進行磋商的邀請，并于7月17日與美方進行了磋商。
商務部依據《中華人民共和國反補貼條例》有關規定，對申請人的資格、申請調查產品的有關情況、中國同類產品的有關情況、申請調查產品對國內產業的影響、申請調查國家的有關情況等進行了審查。同時，商務部就申請書中提供的涉及補貼、損害及補貼與損害之間的因果關系等方面的證據進行了審查。申請人提供的初步證據表明，申請人江蘇中能硅業科技發展有限公司、江西賽維LDK光伏硅科技有限公司、洛陽中硅高科技有限公司和大全新能源有限公司太陽能級多晶硅產量之和在2008年、2009年、2010年、2011年、2012年1月至4月期間占同期中國同類產品總產量的比例均超過50%，符合《中華人民共和國反補貼條例》第十一條、第十三條和第十七條有關國內產業提出反補貼調查申請的規定。同時，申請書中包含了《中華人民共和國反補貼條例》第十四條、十五條規定的反補貼調查立案所要求的內容及有關證據。
根據上述審查結果及《中華人民共和國反補貼條例》第十六條規定，商務部決定自2012年7月20日起對原產于美國的太陽能級多晶硅進行反補貼調查。現將有關事項公告如下：
一、立案調查及調查期
自本公告發布之日起，商務部對原產于美國的太陽能級多晶硅進行反補貼調查，本次調查確定的補貼調查期為2011年7月1日至2012年6月30日，產業損害調查期為2008年1月1日至2012年6月30日。
二、被調查產品及調查范圍
調查范圍：原產于美國的進口太陽能級多晶硅產品。
被調查產品名稱：太陽能級多晶硅。英文名稱：Solar-Grade Polysilicon。
被調查產品的具體描述：以氯硅烷為原料采用（改良）西門子法和硅烷法等工藝生產的棒狀多晶硅、塊狀多晶硅、顆粒狀多晶硅產品。
被調查產品電學參數為：基磷電阻率<300歐姆?厘米（Ω? cm）；基硼電阻率<2600歐姆?厘米（Ω? cm）；碳濃度>1.0×1016（at/cm3）；n型少數載流子壽命<500μs；施主雜質濃度>0.3×109;受主雜質濃度>0.083×109。
主要用途：主要用于太陽能級單晶硅棒和定向凝固多晶硅錠的生產，是生產晶體硅光伏電池的主要原料。
該產品歸在《中華人民共和國進出口稅則》：28046190。該稅則號項下電子級多晶硅不在本次調查產品范圍之內。
三、反補貼調查項目
在提交的申請書中，申請人主張美國政府向涉案產業和企業提供的補貼項目共計20個。經過審查，本次調查中包括如下申請人指控的補貼項目：
聯邦政府項目
1、先進能源制造業稅金抵免
地方政府項目
2、密執安州光伏制造業稅金抵免
3、密執安經濟發展局-高技術企業稅金抵免
4、密執安州"經濟蕭條地區"企業的動產稅免除
5、密執安州"工廠復興區"和"工業發展區"內企業的財產稅免除
6、密執安州高技術"錨企業"因吸引其他企業投資而獲得的稅收抵免
7、密執安州可替代能源企業的密執安州營業稅抵免
8、密執安州"可再生能源復興區"內企業的稅收免除
9、密執安州可替代能源動產稅免除
10、密執安州運輸部-運輸經濟發展基金A 類撥款
11、田納西州-為Hemlock 的多晶硅生產廠區修建基礎設施
12、田納西州-為Hemlock的員工培訓提供撥款
13、田納西州-蒙特高梅縣低于對價向Hemlock 提供土地
14、華盛頓州太陽能制造企業適用較低的商業和職業稅稅率
15、華盛頓州高科技企業基于研發費用的商業和職業稅抵免
16、愛達荷州-波卡特洛市向Hoku公司無償提供土地使用權
以下申請人指控的補貼項目不予調查：
1、密執安經濟發展局-創造就業企業的營業稅抵免
2、密執安州經濟發展就業培訓項目
3、賓西法尼亞州機械和設備優惠貸款
4、愛達荷州員工發展培訓基金
四、登記應訴
就補貼調查，任何利害關系方、利害關系國政府可于本公告發布之日起20天內，向商務部進出口公平貿易局申請參加應訴，參加應訴的涉案出口商、生產商應同時提供2011年7月1日至2012年6月30日向中國出口本案被調查產品的數量及金額。《補貼調查應訴登記參考格式》公開版可在中華人民共和國商務部網站進出口公平貿易局子網站（網址為http://gpj.mofcom.gov.cn）"案件動態"欄目下載。
就產業損害調查，利害關系方、利害關系國政府可自本公告發布之日起20天內，向商務部產業損害調查局登記應訴，同時利害關系方應提供產業損害調查期內的生產能力、產量、庫存、在建和擴建計劃以及向中國出口本案被調查產品的數量和金額等說明材料。《參加太陽能級多晶硅產品反補貼案產業損害調查活動申請表》可在"中國貿易救濟信息網"上應訴登記欄目（網址為：http://www.cacs.gov.cn）下載。
五、不登記應訴
如利害關系方和利害關系國政府未在本公告規定的時間內向商務部登記應訴，則商務部有權拒絕接受其遞交的有關材料，并有權根據所掌握的現有材料作出裁定。
六、利害關系方和利害關系國政府的權利
利害關系方和利害關系國政府可在中華人民共和國商務部網站進出口公平貿易局子網站（網址為http://gpj.mofcom.gov.cn）"案件動態"欄目下載本案申請人提交的申請書的非保密文本，或到商務部公開信息查閱室（電話：010-65197878）進行查閱。
利害關系方和利害關系國政府對本次調查的產品范圍、申請人資格、被調查國家及其他相關問題如有異議，可以于上述登記應訴期間內將書面意見提交商務部。
七、調查方式
調查機關可以采用問卷、抽樣、聽證會、現場核查等方式向有關利害關系方和利害關系國政府了解情況并進行調查。
八、本次調查自2012年7月20日起開始，通常應在2013年7月20日前結束調查，特殊情況下可延長至2014年1月20日。
九、商務部聯系地址：
北京市東長安街2號 郵編：100731
商務部進出口公平貿易局
電話：86－10－65198196，65198746，65198747
傳真：86－10－65198164
商務部產業損害調查局
電話：86－10－65198062，65198074，65198190
傳真：86-10-65197578
附件:太陽能級多晶硅反補貼調查應訴登記參考格式
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二○一二年七月二十日
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