新日本制鐵（新日鐵）著手開展作為新一代功率半導(dǎo)體底板材料的SiC（碳化硅）晶圓業(yè)務(wù)。將從2009年4月1日起通過(guò)子公司新日鐵材料開始銷售直徑2～4英寸（50～100mm）的SiC晶圓。此前新日鐵一直提供試制用晶圓的樣品，而此次將從4月份起供應(yīng)質(zhì)量可用于元件量產(chǎn)的晶圓。計(jì)劃2015年前后使該業(yè)務(wù)的年銷售額規(guī)模達(dá)100億日元?！昂翢o(wú)疑問(wèn)，我們將成為僅次于（壟斷SiC晶圓市場(chǎng)的）美國(guó)可瑞（Cree）公司，成為業(yè)界第二。不過(guò)我們的晶圓質(zhì)量可是全球第一位的”（新日鐵材料董事社長(zhǎng)石山照明）。

　　新日鐵材料將開始銷售直徑為2英寸（50mm）、3英寸（76mm）及4英寸（100mm）的n型4H-SiC晶圓。所有產(chǎn)品的中空貫通缺陷（微管）的存在密度均降到了1個(gè)/cm2以下。在引起元件成品率下降的位錯(cuò)缺陷方面，與可瑞的晶圓相比，新日鐵的水平也毫不遜色?！盀榱颂岣逽iC晶圓的結(jié)晶質(zhì)量，采用了通過(guò)制鐵用高爐開發(fā)的超高溫溫度控制技術(shù)”（新日鐵新材料研究部長(zhǎng)大橋渡）。

日本國(guó)內(nèi)首次推出直徑100mm晶圓，150mm晶圓將于2011年樣品供貨

　　這是日本國(guó)內(nèi)廠商首次推出直徑100mm的SiC晶圓產(chǎn)品（參閱本站報(bào)道1，參閱本站報(bào)道2）。該尺寸是量產(chǎn)元件時(shí)使用的最小尺寸，因此，此次實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化“將成為加快SiC晶圓元件量產(chǎn)步伐的原動(dòng)力”（新日鐵材料董事兼技術(shù)部長(zhǎng)巽宏平）?？扇鹩?jì)劃09年～2010年推出的直徑6英寸（150mm）的晶圓產(chǎn)品，“將于2011年開始樣品供貨”（巽宏平）。另外，新日鐵此次推出的直徑50～100mm的晶圓產(chǎn)品均為沒(méi)有形成外延膜（Epitaxial Film）的普通晶圓（Bulk Wafer）。關(guān)于事先形成外延膜的外延晶圓（Epitaxial wafer），“我們已經(jīng)擁有制造設(shè)備，目前正在探討當(dāng)業(yè)務(wù)需求增高時(shí)如何實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)化的問(wèn)題”（巽宏平）。

2009年3月26日舉辦了新聞發(fā)布會(huì)。左側(cè)為新日鐵材料董事社長(zhǎng)石山照明。右側(cè)為新日本制鐵尖端技術(shù)研究所所長(zhǎng)橋本操。

新日鐵推出的直徑2～4英寸（50～100mm）的SiC晶圓產(chǎn)品。

 
提倡實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高質(zhì)量水平。

　　新日鐵材料最初計(jì)劃主要面向日本國(guó)內(nèi)元件廠商銷售SiC晶圓。生產(chǎn)基地為該公司的子公司日鐵微金屬的寄居工廠（?玉縣）。預(yù)計(jì)最初以月產(chǎn)200～400張的規(guī)模進(jìn)行量產(chǎn)，年銷售額將達(dá)數(shù)億日元。隨著元件市場(chǎng)的發(fā)展，“生產(chǎn)規(guī)模及銷售額也將實(shí)現(xiàn)數(shù)倍以上的增長(zhǎng)”（巽宏平）。關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體的用途，“最初將應(yīng)用于產(chǎn)業(yè)設(shè)備、服務(wù)器及太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域，隨后擴(kuò)大到混合動(dòng)力車及電動(dòng)汽車領(lǐng)域”（新日鐵材料的石山）。

“不同于硅晶圓”

　　新日鐵并不是首次開展半導(dǎo)體晶圓業(yè)務(wù)。該公司此前曾開展過(guò)硅晶圓業(yè)務(wù)，不過(guò)03年退出了該業(yè)務(wù)。此次，關(guān)于開展SiC晶圓業(yè)務(wù)的理由，該公司例舉了兩點(diǎn)?！暗谝?，與硅晶圓時(shí)期不同，在開展業(yè)務(wù)的過(guò)程中可確保自主開發(fā)的技術(shù)；第二，設(shè)備投資規(guī)模小，開展業(yè)務(wù)的風(fēng)險(xiǎn)較小”（新日鐵材料的石山）。（記者：大下 淳一）