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【發(fā)布單位】中華人民共和國商務部
【發(fā)布文號】公告2014年第4號
【發(fā)布日期】2014-01-20
根據(jù)《中華人民共和國反補貼條例》（以下簡稱《反補貼條例》）的規(guī)定，2012年7月20日，商務部（以下稱調(diào)查機關）發(fā)布年度第41號公告，決定對原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅（以下稱被調(diào)查產(chǎn)品）進行反補貼立案調(diào)查。該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國進出口稅則》：28046190。該稅則號項下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導體產(chǎn)品的電子級多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。
調(diào)查機關對被調(diào)查產(chǎn)品是否存在補貼及補貼金額、中國太陽能級多晶硅產(chǎn)業(yè)是否受到損害及損害程度以及補貼與損害之間的因果關系進行了調(diào)查。根據(jù)調(diào)查結果和《反補貼條例》第二十五條的規(guī)定，2013年9月16日，調(diào)查機關發(fā)布初裁公告，認定被調(diào)查產(chǎn)品存在補貼，中國太陽能級多晶硅產(chǎn)業(yè)受到了實質(zhì)損害，而且補貼與實質(zhì)損害之間存在因果關系。
初步裁定后，調(diào)查機關繼續(xù)對補貼和補貼金額、損害和損害程度以及補貼與損害之間的因果關系進行調(diào)查。現(xiàn)本案調(diào)查結束，根據(jù)調(diào)查結果，并依據(jù)《反補貼條例》第二十六條的規(guī)定，調(diào)查機關作出最終裁定（見附件）。現(xiàn)將有關事項公告如下：
一、最終裁定
經(jīng)過調(diào)查，調(diào)查機關最終裁定，在本案調(diào)查期內(nèi)，被調(diào)查產(chǎn)品存在補貼，中國太陽能級多晶硅產(chǎn)業(yè)受到實質(zhì)損害，而且補貼與實質(zhì)損害之間存在因果關系。
二、被調(diào)查產(chǎn)品范圍及措施范圍
本案被調(diào)查產(chǎn)品及實施措施產(chǎn)品的具體描述如下：
調(diào)查和措施范圍：原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅。
被調(diào)查產(chǎn)品名稱：太陽能級多晶硅。英文名稱：Solar-Grade Polysilicon。
被調(diào)查產(chǎn)品的具體描述：以氯硅烷為原料采用（改良）西門子法和硅烷法等工藝生產(chǎn)的，用于生產(chǎn)晶體硅光伏電池的棒狀多晶硅、塊狀多晶硅、顆粒狀多晶硅產(chǎn)品。
被調(diào)查產(chǎn)品電學參數(shù)為：基磷電阻率<300歐姆?厘米（Ω ? cm）；基硼電阻率<2600歐姆?厘米（Ω ? cm）；碳濃度>1.0×1016（at/cm3）；n型少數(shù)載流子壽命<500μs；施主雜質(zhì)濃度>0.3×10-9;受主雜質(zhì)濃度>0.083×10-9 。
主要用途：主要用于太陽能級單晶硅棒和定向凝固多晶硅錠的生產(chǎn)，是生產(chǎn)晶體硅光伏電池的主要原料。
該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國進出口稅則》：28046190。該稅則號項下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導體產(chǎn)品的電子級多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。
三、征收反補貼稅
根據(jù)《反補貼條例》的有關規(guī)定，調(diào)查機關向國務院關稅稅則委員會提出對原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅征收反補貼稅的建議。國務院關稅稅則委員會根據(jù)調(diào)查機關的建議作出決定，自2014年1月20日起，對原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅征收反補貼稅。對各公司征收的反補貼稅稅率如下：
1.赫姆洛克半導體公司 2.1%
（Hemlock Semiconductor Corporation）
2.REC太陽能級硅有限責任公司 0%
（REC Solar Grade Silicon LLC）
3.REC先進硅材料有限責任公司 0%
（REC Advanced Silicon MaterialsLLC）
4.MEMC帕薩迪納有限公司 0%
（MEMC Pasadena,Inc.）
5.AEPolysilicon Corporation 2.1%
6.其他美國公司（All Others） 2.1%
在補貼調(diào)查期內(nèi)，原產(chǎn)于REC太陽能級硅有限責任公司的進口被調(diào)查產(chǎn)品從價補貼率為0.2%，屬于微量補貼；原產(chǎn)于REC先進硅材料有限責任公司和MEMC帕薩迪納有限公司的進口被調(diào)查產(chǎn)品均未獲得補貼。原產(chǎn)于此三家公司的進口被調(diào)查產(chǎn)品適用的反補貼稅稅率為0%。
四、征收反補貼稅的方法
自2014年1月20日起，進口經(jīng)營者在進口被調(diào)查產(chǎn)品時，應向中華人民共和國海關繳納相應的反補貼稅。反補貼稅以海關審定的完稅價格從價計征，計算公式為：反補貼稅額=海關完稅價格×反補貼稅稅率，進口環(huán)節(jié)增值稅以海關審定的完稅價格加上關稅和反補貼稅作為計稅價格從價計征。
五、反補貼稅的追溯征收
對自2013年9月20日起至2014年1月19日止，有關進口經(jīng)營者依初裁公告向中華人民共和國海關所提供的臨時反補貼稅保證金，按終裁所確定的征收反補貼稅的商品范圍和反補貼稅稅率計征并轉為反補貼稅，并按相應的增值稅稅率計征進口環(huán)節(jié)增值稅。在此期間有關進口經(jīng)營者所提供的臨時反補貼稅保證金超出反補貼稅的部分，以及由此多征的進口環(huán)節(jié)增值稅部分，海關予以退還，少征部分則不再征收。
對實施臨時反補貼措施決定公告之日前進口的原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅不再追溯征收反補貼稅。
六、征收反補貼稅的期限
對原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅征收反補貼稅的實施期限自2014年1月20日起5年。
七、復審
在征收反補貼稅期間，有關利害關系方可以根據(jù)《反補貼條例》的相關規(guī)定，向調(diào)查機關書面申請復審。
八、行政復議和行政訴訟
對本案終裁決定及征收反補貼稅的決定不服的，根據(jù)《反補貼條例》第五十二條的規(guī)定，可以依法申請行政復議，也可以依法向人民法院提起訴訟。
九、本公告自2014年1月20日起執(zhí)行。
附件：中華人民共和國商務部對原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅反補貼調(diào)查的最終裁定.doc
中華人民共和國商務部
2014年1月20日
【發(fā)布文號】公告2014年第4號
【發(fā)布日期】2014-01-20
根據(jù)《中華人民共和國反補貼條例》（以下簡稱《反補貼條例》）的規(guī)定，2012年7月20日，商務部（以下稱調(diào)查機關）發(fā)布年度第41號公告，決定對原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅（以下稱被調(diào)查產(chǎn)品）進行反補貼立案調(diào)查。該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國進出口稅則》：28046190。該稅則號項下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導體產(chǎn)品的電子級多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。
調(diào)查機關對被調(diào)查產(chǎn)品是否存在補貼及補貼金額、中國太陽能級多晶硅產(chǎn)業(yè)是否受到損害及損害程度以及補貼與損害之間的因果關系進行了調(diào)查。根據(jù)調(diào)查結果和《反補貼條例》第二十五條的規(guī)定，2013年9月16日，調(diào)查機關發(fā)布初裁公告，認定被調(diào)查產(chǎn)品存在補貼，中國太陽能級多晶硅產(chǎn)業(yè)受到了實質(zhì)損害，而且補貼與實質(zhì)損害之間存在因果關系。
初步裁定后，調(diào)查機關繼續(xù)對補貼和補貼金額、損害和損害程度以及補貼與損害之間的因果關系進行調(diào)查。現(xiàn)本案調(diào)查結束，根據(jù)調(diào)查結果，并依據(jù)《反補貼條例》第二十六條的規(guī)定，調(diào)查機關作出最終裁定（見附件）。現(xiàn)將有關事項公告如下：
一、最終裁定
經(jīng)過調(diào)查，調(diào)查機關最終裁定，在本案調(diào)查期內(nèi)，被調(diào)查產(chǎn)品存在補貼，中國太陽能級多晶硅產(chǎn)業(yè)受到實質(zhì)損害，而且補貼與實質(zhì)損害之間存在因果關系。
二、被調(diào)查產(chǎn)品范圍及措施范圍
本案被調(diào)查產(chǎn)品及實施措施產(chǎn)品的具體描述如下：
調(diào)查和措施范圍：原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅。
被調(diào)查產(chǎn)品名稱：太陽能級多晶硅。英文名稱：Solar-Grade Polysilicon。
被調(diào)查產(chǎn)品的具體描述：以氯硅烷為原料采用（改良）西門子法和硅烷法等工藝生產(chǎn)的，用于生產(chǎn)晶體硅光伏電池的棒狀多晶硅、塊狀多晶硅、顆粒狀多晶硅產(chǎn)品。
被調(diào)查產(chǎn)品電學參數(shù)為：基磷電阻率<300歐姆?厘米（Ω ? cm）；基硼電阻率<2600歐姆?厘米（Ω ? cm）；碳濃度>1.0×1016（at/cm3）；n型少數(shù)載流子壽命<500μs；施主雜質(zhì)濃度>0.3×10-9;受主雜質(zhì)濃度>0.083×10-9 。
主要用途：主要用于太陽能級單晶硅棒和定向凝固多晶硅錠的生產(chǎn)，是生產(chǎn)晶體硅光伏電池的主要原料。
該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國進出口稅則》：28046190。該稅則號項下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導體產(chǎn)品的電子級多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。
三、征收反補貼稅
根據(jù)《反補貼條例》的有關規(guī)定，調(diào)查機關向國務院關稅稅則委員會提出對原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅征收反補貼稅的建議。國務院關稅稅則委員會根據(jù)調(diào)查機關的建議作出決定，自2014年1月20日起，對原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅征收反補貼稅。對各公司征收的反補貼稅稅率如下：
1.赫姆洛克半導體公司 2.1%
（Hemlock Semiconductor Corporation）
2.REC太陽能級硅有限責任公司 0%
（REC Solar Grade Silicon LLC）
3.REC先進硅材料有限責任公司 0%
（REC Advanced Silicon MaterialsLLC）
4.MEMC帕薩迪納有限公司 0%
（MEMC Pasadena,Inc.）
5.AEPolysilicon Corporation 2.1%
6.其他美國公司（All Others） 2.1%
在補貼調(diào)查期內(nèi)，原產(chǎn)于REC太陽能級硅有限責任公司的進口被調(diào)查產(chǎn)品從價補貼率為0.2%，屬于微量補貼；原產(chǎn)于REC先進硅材料有限責任公司和MEMC帕薩迪納有限公司的進口被調(diào)查產(chǎn)品均未獲得補貼。原產(chǎn)于此三家公司的進口被調(diào)查產(chǎn)品適用的反補貼稅稅率為0%。
四、征收反補貼稅的方法
自2014年1月20日起，進口經(jīng)營者在進口被調(diào)查產(chǎn)品時，應向中華人民共和國海關繳納相應的反補貼稅。反補貼稅以海關審定的完稅價格從價計征，計算公式為：反補貼稅額=海關完稅價格×反補貼稅稅率，進口環(huán)節(jié)增值稅以海關審定的完稅價格加上關稅和反補貼稅作為計稅價格從價計征。
五、反補貼稅的追溯征收
對自2013年9月20日起至2014年1月19日止，有關進口經(jīng)營者依初裁公告向中華人民共和國海關所提供的臨時反補貼稅保證金，按終裁所確定的征收反補貼稅的商品范圍和反補貼稅稅率計征并轉為反補貼稅，并按相應的增值稅稅率計征進口環(huán)節(jié)增值稅。在此期間有關進口經(jīng)營者所提供的臨時反補貼稅保證金超出反補貼稅的部分，以及由此多征的進口環(huán)節(jié)增值稅部分，海關予以退還，少征部分則不再征收。
對實施臨時反補貼措施決定公告之日前進口的原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅不再追溯征收反補貼稅。
六、征收反補貼稅的期限
對原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅征收反補貼稅的實施期限自2014年1月20日起5年。
七、復審
在征收反補貼稅期間，有關利害關系方可以根據(jù)《反補貼條例》的相關規(guī)定，向調(diào)查機關書面申請復審。
八、行政復議和行政訴訟
對本案終裁決定及征收反補貼稅的決定不服的，根據(jù)《反補貼條例》第五十二條的規(guī)定，可以依法申請行政復議，也可以依法向人民法院提起訴訟。
九、本公告自2014年1月20日起執(zhí)行。
附件：中華人民共和國商務部對原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅反補貼調(diào)查的最終裁定.doc中華人民共和國商務部
2014年1月20日
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