意法半導體公司(STMicroelectronics)12月1日發(fā)布了光伏發(fā)電逆變器（PCS）用的1200V耐壓新型絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。

1200V耐壓的新型絕緣柵雙極晶體管封裝外觀。（攝影：意法半導體公司）

該IGBT為進一步降低通態(tài)電壓，減少開關損耗，提高了溝槽柵場終止結構水平。由此可大幅提高逆變器的堅固性和轉換效率。

通過優(yōu)化導通特性和斷路特性，并降低開關側發(fā)生的斷路損耗，使之成了最適合硬開關電路（可直接切斷及導通直流電的開關）的絕緣柵雙極晶體管。因能使切斷電路時的超電勢最小化及消除振蕩，因此不僅可減少電力損失，還可簡化電路設計。

工作溫度范圍比原有產(chǎn)品高，最高可達175℃。在150℃下工作時的耐短路時間為10微秒（μs：百萬分之1秒）。