1.晶體硅電池效率損失機制

太陽能電池轉換效率受到光吸收利用、載流子輸運、載流子收集的限制。對于晶體硅電池而言，其轉換效率的理論最高值是28%。影響晶體硅電池轉換效率的原因主要來自兩個方面，如圖1所示：

（1）光學損失，包括電池前表面反射損失、正面電極的遮光損失以及長波段的非吸收透射損失。

（2）電學損失，包括硅片表面及體內的光生載流子復合、硅片體電阻、擴散層橫向電阻和金屬電極電阻，以及金屬和硅片的接觸電阻等的損失。這其中最關鍵的是降低光生載流子的復合，它直接影響太陽能電池的開路電壓。當少數載流子的擴散長度與硅片的厚度相當或超過硅片厚度時，背表面的復合速度對太陽能電池特性的影響將比較顯著。 

2.提高晶體硅電池轉換效率的途徑

和晶體硅電池轉換效率損失機制相對應地，為了提高轉換效率，主要從減小入射光的反射、減小正面金屬電極遮光、降低電阻損耗、減小載流子復合幾個方面著手。

（1）減小入射光反射率：又可分成表面絨面織構化和減反射膜兩個方面。表面絨面織構化最典型的應用就是堿制絨制備單晶硅電池的金字塔絨面結構。采用選擇性腐蝕NaOH溶液，利用腐蝕液對各個晶面腐蝕速率的不同，形成非均勻腐蝕，在硅表面形成類似金字塔形狀的絨面，如圖2A。制得絨面的反射率可達到10%左右。依靠表面金字塔形的絨面結構，對光進行多次反射，不僅減少了反射損失，而且改變了光在硅中的前進方向，延長了光程，增加了光生載流子的產量；曲折的絨面又增加了結面積，從而增加對光生載流子的收集率。對于多晶硅電池而言，由于硅片晶粒晶向的不均勻，無法使用堿制絨。為有效降低絨面反射率，目前已經有反應離子刻蝕（RIE）或者濕法納米黑硅技術應用到規?；a中。RIE通常使用SF6／O2混合工藝氣體，在蝕刻過程中，F自由基對硅進行化學蝕刻形成可揮發的SiF，O自由基形成SixOyFz對側墻進行鈍化處理，形成絨面結構，如圖2B。其絨面反射率可達到4%以下。

減反射膜利用光的干涉相消原理，減小入射光的反射。從最開始的單層膜，已經發展到現在的雙層減反射膜和漸進式減反射膜。根據所用鍍膜設備的不同，管式PECVD通常采用雙層SiNx1/SiNx2減反射膜，板式PECVD則采用漸進式減反射膜。由于SiNx薄膜可調的折射率范圍比較小，相比于單層減反射膜，不管是雙層SiNx1/SiNx2減反射膜，還是漸進式減反射膜，對反射率的降低并不是十分顯著。

（2）減小正面電極遮光損失：新型正面電極結構例如MWT（metalWrapThrough）電池，它通過激光穿孔和灌孔印刷技術將正面發射極的接觸電極穿過硅片基體引導到硅片背面，通過16個電極孔收集光生電流，如圖3所示，直接減少了主柵的遮光面積。在MWT電池組件的封裝技術中，導電膠的采用將背面正負極同時與基板連接，這樣增加堆積密度，不僅方便安全，而且也減少FF損失和提高Jsc(分別大約2.5%和1.6%)。

把正面電極遮光減小到極致的是IBC電池，如圖4所示。該技術在電池背面分別進行磷、硼局部擴散，形成有指狀交叉排列的P+區和N+區，以及相對應的P區金屬電極和N區金屬電極。所有的金屬電極都排列在電池背面，因此正面（受光面）完全沒有遮光損失。此外，P+和N+區接觸電極的覆蓋面積幾乎達到了背表面的1/2，大大降低了串聯電阻。

（3）減小電阻損耗：減小正面電極的電阻損耗往往需要和減小正面電極的遮光面積之間進行平衡。其中在工業化生產中應用最成熟的是細柵密柵電池技術。在不降低正面電極總的印刷漿料增重的前提下，將細柵線寬度降低，細柵線數目增加。細柵線數目增加意味著相鄰柵線之間的間距減小，從而橫向電阻降低，同時不增加遮光面積。多主柵技術也是減小電阻損耗的主要方式。細柵線從一端到最近主柵的距離降低，可以減小總的細柵線電阻。采用多主柵的同時，主柵的寬度適當降低，從而不增加總的遮光面積。另外一個能夠減小電阻損耗的技術是二次印刷技術。該技術通過套印兩次細柵線，一方面降低細柵線的寬度、另一方面還能增加細柵線的高度，在降低細柵線電阻損耗提高填充因子的同時，還能提高電池的短路電流。

（4）減小載流子復合：最簡便的減小載流子復合的方式是使用低雜質含量、低缺陷密度的高品質硅片。最近幾年由于硅片鑄錠工藝的進步以及高品質多晶硅料的使用，硅片的體少子壽命有很大改進。普通多晶硅電池的轉換效率也有顯著的提高，目前業內平均轉換效率在18.4%左右。

晶體硅電池的擴散層屬于摻雜較重的區域，相比于電池的基底區域，少數載流子復合較為嚴重。降低擴散層的摻雜濃度能夠有效降低少數載流子復合，提高電池的開路電壓和短路電流。高阻密柵（高擴散方阻、多細柵線數目）技術是目前業內普遍應用的技術手段。高阻密柵技術通過提高電池擴散層的方塊電阻，降低擴散層的表面摻雜濃度以及總的摻雜濃度，最終提高開路電壓和短路電流。不過由于橫向電阻增加以及表面濃度降低，該技術需要犧牲一部分填充因子。選擇性發射極技術能夠同時兼顧高擴散層方塊電阻以及填充因子，該技術在電極區域形成的是重摻雜的N型層，極大降低了與金屬電極的接觸電阻，有益于改善填充因子，同時在受光區形成的是輕摻雜的N型層，能有效降低N型層的載流子復合，改善短波段的光譜響應，提高開路電壓和短路電流。2010左右，該技術在業內曾非常熱門，當時與均勻發射極電池相比，轉換效率能夠提高0.2個百分點左右。近幾年由于漿料的性能不斷改進，選擇性發射極的優勢越來越小，個別選擇性發射極技術如硅墨技術、激光選擇性發射極逐漸被淘汰出局。

對晶體硅電池而言，提高轉換效率的重要途徑是改善前表面以及背表面的鈍化效果。由于P型晶體硅電池的擴散層是N型導電層，使用目前的SiNx減反射薄膜內帶有固定正電荷，能夠起到良好的場鈍化效果，使用SiOx/SiNx薄膜能夠進一步提高界面的介質鈍化效果。

在晶體硅電池背面，目前的鋁背面場可以提供一定的場鈍化效果，但Al作為受主雜質在硅材料內部的固溶度較低，鋁背場提供的場鈍化效果比較弱。能夠顯著改善背面鈍化效果的是AlOx/SiNx鈍化薄膜，一方面AlOx薄膜內部的固定負電荷密度較高，能夠提供較強的場鈍化能力；另一方面，在高溫燒結過程中，AlOx與P型硅基片界面能夠形成一層1~2nm厚的SiOx層，起到介質鈍化的作用。對于P型基底，AlOx/SiNx疊層薄膜能夠將少數載流子的表面復合速率降低到10cm/s。許多高效電池結構，如PERC、PERC、PERT、LFC等都是以背面AlOx/SiNx疊層鈍化薄膜為基礎。與常規晶體硅電池相比，PERC電池用AlOx/SiNx疊層薄膜替代鋁背場，背面鍍完AlOx/SiNx后進行局部的激光剝離出硅基片和背面鋁層的接觸窗口，背面的光生電流通過該窗口被背面鋁層收集。目前PERC電池技術已經成為熱門的高效量產技術，其轉換效率提升在0.5~0.8個百分點之間。

3.20.5%以上效率多晶電池量產技術路線

晶科能源專注于具有可量產性的高效電池開發，目前已經實現了20%以上的高效多晶電池的批量生產，有望在年內實現20.5%以上量產效率。其高效多晶硅電池結構如圖7所示。以金剛線切割的多晶硅片為基礎，正面是低反射率的亞微米級絨面，結合SiOx/SiNx薄膜保證正面的鈍化效果。背面采用AlOx/SiNx疊層鈍化，形成PERC電池結構，大大改善背表面的鈍化效果。低反射率的亞微米級絨面使得高效多晶電池具有明顯的短路電流增益。SiOx/SiNx薄膜又能夠使得正面的表面積增加的情況下，鈍化效果不降低。背面PERC結構一方面提高了背面長波段的光譜響應，同時背面的背反射改善了長波段太陽光的利用次數。在正面電極上，采用多主柵細柵密柵設計。這種高效電池結構保證了優越的短路電流、開路電壓和填充因子，最終獲得了高轉換效率。

金剛線切割的多晶硅片硅材料損失較少，單位時間內的切片數增加，在成本上比常規砂漿線切割的多晶硅片有優勢。而且其機械損傷較少，相應的缺陷密度較小。但是用常規的酸制絨手段不能實現有效的絨面制備。金剛線切割的多晶硅片經過常規酸制絨后的表面平均反射率接近30%，只能選擇另外的新型的制絨手段。

針對金剛線切割多晶硅片，晶科能源實現的高效電池生產技術工藝流程如圖8所示。在先進制絨階段，金剛線多晶硅片經過常規酸制絨工藝進行初步制絨，去除表面附近的損傷層。繼續經過黑硅技術手段進行再制絨，形成亞微米級的絨面。后續經過絨面微處理完成整個先進制絨過程。為增強前表面的鈍化效果，一低溫氧化的薄層SiOx薄膜被引入到正面擴散層表面。除了提供鈍化效果，該氧化層還具有一定的抗PID效果。低溫氧化工藝使得增加該工藝步驟所需的成本較低。在PERC結構化階段，高效電池先經過背面AlOx/SiN疊層薄膜沉積，再進行正面SiNx減反射薄膜沉積。后續經過激光開膜形成背面鋁層的接觸窗口，然后印刷PERC鋁漿，通過調整匹配PERC鋁漿的燒結工藝，達到形成良好背面局部接觸的效果。背面PERC結構將降低背面復合速率，改善長波吸收效率，從而提升整體電性能。

特別值得一提的是，當電池正面和背面分別集成黑硅技術和PERC技術的情況下，電池效率的實際提升達到了1+1>2的效果。這與以往電池片正面或背面多項技術集成時出現的提升效果無法疊加是不同的。

4.20%以上效率多晶電池電性能表現

圖9所示的雙面鈍化的少子壽命測試表明，金剛線多晶硅片具有較高的體少子壽命，達到350us左右，優于常規砂漿線多晶硅片。這樣就從基礎上保證了高效多晶電池的轉換效率。

經過先進制絨技術手段得到的絨面尺寸在亞微米范圍。從SEM圖片（圖10A）觀察，制絨后的絨面在蟲卵形凹坑內部還有許許多多微小的丘陵結構，入射光在蟲卵凹坑內的微型丘陵結構表面處形成多次反射，從而極大降低制絨后的反射率。和常規酸制絨相比，其平均反射率能夠降低到10%以下。

背面PERC結構中的AlOx/SiNx疊層薄膜，一方面是鈍化膜，另一方面和背面鋁層組成了一面反射器。AlOx/SiNx疊層薄膜中的負電性固定電荷起到了場鈍化的作用，AlOx和硅基底背面形成SiOx薄層還起到介質鈍化效果，兩者疊加很好改善了背面的鈍化效果。從內量子效率測試看，如圖11所示，在中長波段，高效電池相比常規電池的內量子效率有顯著提升。背面AlOx薄膜的折射率約為1.6，SiN薄膜的折射率在2.1左右，AlOx/SiNx疊層薄膜與硅基底以及背面鋁層較大的折射率差異使得透射到背面的中長波段入射光被反射回電池內部，增加了對中長波段太陽光的利用率。

良好的金剛線切割多晶硅片品質、極低的正面反射率、優越的背表面鈍化性能和背反射特性、優化的正面電極多主柵設計，使得晶科能源的高效多晶硅電池批量生產效率超過20%，也有機會進一步提升到20.5%以上。短路電流密度從常規多晶電池的36.7mA/cm2提升到39.3mA/cm2，開路電壓從638mV提高到659mV，創造了業內多晶硅電池量產效率記錄。圖12為高效多晶硅電池批量生產效率分布。