近日，全球領先的清潔能源應用系統的推動者和領先者蘇美達輝倫(Phono Solar)宣布，公司自主研發的黑硅電池片新工藝——《一種多晶硅表面倒金字塔結構及其制備方法》獲得了中華人民共和國知識產權局授予的發明專利（專利編號：201610005713.6）。這是蘇美達輝倫(Phono Solar)在黑硅電池片技術上的重大突破，同時也體現了蘇美達輝倫(Phono Solar)在降低度電成本、促進光伏發電產業發展中的央企擔當。

近年來，隨著以促進光伏產業升級為目標的“光伏領跑者計劃”實施，黑硅、PERC、MWT等提升電池片效率的先進技術成為行業領軍企業搶占市場的武器。專業調研機構Energy Trend指出，在光伏行業長期的競爭中，無數事實證明，在技術進步的背后，維持組件性價比優勢才能根本上保住市場地位。正因如此，黑硅技術的優勢盡顯：在同樣的光照時長之下，擁有黑硅技術的光伏組件，可以在清晨和黃昏等光照強度很弱的情況下進行工作，相比常規組件，黑硅技術可以吸收更寬頻譜的光線，這使得蘇美達輝倫(Phono Solar)組件在成本不變的前提下，比常規組件的“比功率”（kwh/kw）高出3%。

縱觀行業，目前有許多實驗室能夠通過不同的方法制備出黑硅，如飛秒激光脈沖法、等離子體刻蝕法及金屬離子輔助刻蝕法等。但這些傳統方法所制成的黑硅納米陷光結構通常具有結構較小、密、深且缺陷多的特征，甚至有雜質殘留，這些黑硅結構如果沒有進行優化的話，將導致嚴重的表面復合反而使電池片的效率下降。

蘇美達輝倫(Phono Solar)自主研發的新型方法采用了一種不同于行業中傳統酸堿腐蝕工藝的濕式工藝方法，將不同納米結構的黑硅通過氧化腐蝕成具有規則的倒金字塔結構的納米絨面結構。相對于傳統多晶硅絨面，多晶硅倒金字塔陷光結構對光的利用率更高，反射率更低。同時，因其倒金字塔結構特點，相對于傳統黑硅結構的高表面復合，其表面復合明顯降低，使得太陽能電池的效率更高，這種新型技術的發明為黑硅技術的大規模量產奠定了堅實的基礎。

對于蘇美達輝倫（Phono Solar）人來說，這項發明專利的獲得僅僅是無數科研成果中的一項，在未來光伏組件最終形式這一課題上蘇美達輝倫（Phono Solar）人走出了屬于自己的獨特道路。

 如上文所說，黑硅電池片在弱光下的表現要明顯優于其他電池片技術，而MWT技術因為取消了電池片表面的柵線從而增大了受光面積，如果將這兩種提升電池片效率的技術合二為一，是否能起到1+1＞2的功效？這一想法，在蘇美達輝倫（Phono Solar）人的不斷探索下成為了現實，蘇美達輝倫（Phono Solar）計劃于年內推出基于“黑硅+MWT”的復合高性能光伏組件，該產品將充分結合兩項提升電池片效率的技術的優勢，令發電效率實現突破性提升，從而為進一步降低度電成本提供巨大的助力。

知識經濟時代，創新日益成為企業發展的源泉和動力。蘇美達輝倫(Phono Solar)將憑借頂尖的研發團隊、領先的技術實力、高端的制造設備，堅持自主創新，在不斷提升企業自身研發與制造水平的同時，助推我國光伏制造水平向高端化、智能化發展。