1）適合于硅材料的氧、碳含量的測(cè)定；

2）可實(shí)現(xiàn)硅料中氧碳含量自動(dòng)、快速、準(zhǔn)確的測(cè)量；

3）具備完整的譜圖采集、光譜轉(zhuǎn)換、光譜處理、光譜分析及輸出功能，使得操作更簡單、方便、靈活。

4）全密封防潮、防塵干涉儀的設(shè)計(jì)使儀器對(duì)環(huán)境的適應(yīng)能力更強(qiáng)。

5）外置式紅外光源部件的設(shè)計(jì)使得儀器具有更高的熱學(xué)穩(wěn)定性，無須動(dòng)態(tài)調(diào)整就具有穩(wěn)定的干涉度。

6）高強(qiáng)度紅外光源采用球形反射裝置，可獲得均勻、穩(wěn)定的紅外輻射。

7）程控增益放大電路、高精度A/D轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)及嵌入式微機(jī)的應(yīng)用，提高了儀器的精度及可靠性；

8）光譜儀與計(jì)算機(jī)間通過USB方式進(jìn)行控制和數(shù)據(jù)通訊，完全實(shí)現(xiàn)即插即用。

9）通用微機(jī)系統(tǒng)，全中文應(yīng)用軟件界面友好、內(nèi)容豐富。

10）專用樣品固定架；

11）高穩(wěn)定性和抗震性；

12）保質(zhì)期：12個(gè)月。

1）檢測(cè)下限：1.0X10¹⁶cm^-3(常溫)；

2）檢測(cè)硅料硅片厚度范圍為：0.1~3.5mm；

3)波數(shù)范圍：7800cm^-1~400cm^-1

4）分辨率：優(yōu)于0.5 cm^-1

5)波數(shù)精度：±0.01 cm^-1

(1) CZ-Si(直拉硅)中氧含量精密度為±10%。

(2) FZ-Si（區(qū)熔硅）中氧含量精密度為±20%，檢測(cè)下限為1×10¹⁶ cm^-3 。符合“硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法”國家標(biāo)準(zhǔn)(GB/T 1557-89)的要求。

6)掃描速度：0.2~2.5 cm/s，微機(jī)控制，選擇不同的掃描速度，檔次連續(xù)可調(diào)。

7) 信噪比：優(yōu)于15，000：1（RMS值，在2100 cm^-1 處，4 cm^-1分辨率，DTGS探測(cè)器，1分鐘數(shù)據(jù)采集。）

8) 分?jǐn)?shù)器：KBr基片鍍鍺

9) 探測(cè)器：標(biāo)準(zhǔn)配置DTGS，任選MCT

10)光源：高強(qiáng)度空氣冷卻紅外光源

1) 通用微機(jī)，連接噴墨或激光打印機(jī)，可輸出高質(zhì)量的光譜圖。

2) 軟件：全新中文MainFTOS軟件：Windows9X/2000/XP操作系統(tǒng)下的通用操作軟件系統(tǒng)。包括譜庫檢索軟件、定量分析軟件、譜圖輸出軟件及專用紅外譜庫。

1)      光學(xué)臺(tái)： 63*52*24cm

1)交流：220V/50HZ

2)功率：1000VA

錦州陽光能源、江蘇天源、峨眉739、河北晶龍集團(tuán)、無錫尚德、天津環(huán)歐等