NIR-01-3D紅外探傷測試儀

NIR-01-3D型紅外探傷測試儀是采用歐洲CNC工程鋁合金材料，其表面都采用了高強度漆面和電氧化工藝保護，系統外框采用高質量工業設計，所有的部件的設計都達到了長期高強度使用及最小維護量的要求，做到絕對的穩定性和耐用性。

■采用銦鎵砷傳感器，而非一般廠家采用固定值的模擬攝像管，具有硬件圖像校正和計算機參數控制的功能（包括亮度，伽馬，積分時間），其靈敏度好，探傷結果與實際情況一致性佳。不需為不同尺寸的硅塊設置不同的硬件參數（探傷位置，聚焦點，校準）

■我們的軟件系統為不同硅塊的表面情況及尺寸提供設置菜單，沒有必要在硬件上進行設置（當然我們也可以從硬件上進行設置）。

■光源探照有效同質區域為300×330mm/550mm，我們采用了特殊擴散板材料，保證了在沒有圖像處理的情況也能確保成像質量。

■不僅可以探測標準尺寸的硅塊，而且可以探測任何尺寸的硅塊，沒有光源照射區域限制。

■也可直接對未拋光的硅塊進行直接探測。

■紅外照相機３年免費保修或更換的承諾

■我們采用的是獨特的含有冷卻單元的工業級鍍金近紅外鹵管，保證了光源的持久耐用性，設備已經不采用普通鹵管設計，我們提供了強致冷卻單元，為設備的正常使用提供了足夠的冷卻單元，大大延長了儀器的使用壽命。

■所有的部件的設計都達到了長期高強度使用及最小維護量的要求

■即使在高照明的條件下，我們的相機傳感器也幾乎沒有退化的情況。

■有多年在歐洲生產銷售應用的經驗，產品具有優良的工業應用性。

■檢測速度快，自動四面檢測< 1分鐘,快速兩面檢測<20秒，一面<5秒

■可定制硅塊縫合復原功能

■可定制硅塊尺寸測試模塊

■可根據客戶需求進行功能模塊定制，包括硅錠晶體生長情況進行工藝分析

■ 可定制在線生產模式

■ 可定制砷化鎵磷化銦等其他半導體材料的探傷檢測

■ 可定制中文操作系統界面

■主要探測指標：裂縫，黑點，夾雜（通常為SiC），隱裂，微晶

■硅塊電阻率：≥0.5Ohm*Cm（推薦）

■檢測時間：平均每個硅塊小于1分鐘，兩面小于20秒，一面小于5秒

■硅塊尺寸：210mmx210mmx420mm

■采用單軸伺服電機

■最大承載量:40kg

■具有過流保護以防止損傷和電機燒毀

■無步進損失，高分辨率解碼機器

■高強度NIR鹵燈，273mm加熱波長

■功率：230V,1000W

■溫度：25-60攝氏度

■光強可通過軟件控制

■軟件具有過熱保護

■采用紅外CCD控溫

■12位ADC

■頻率：60Hz和100Hz兩個選擇

■像素間距: 30μm

■可手動調節紅外鏡頭

■測試硅塊尺寸：210mmx210mmx420mm

■一套硬件裝備可以檢測所有尺寸的硅塊

■適用于不同的表面質量和厚度的硅塊

■適用于拋光面和裸面，拋光面探測效果更佳

■電阻率：≥0.5Ohm*Cm（推薦）

   ■裂縫，黑點，夾雜（通常為SiC），隱裂，微晶

■可從四個方向進行自動取樣

■可快速進行樣塊的快速測量

■軟件會對探測結果進行評價

■可對檢測參數進行靈活設置