日前，依托在江蘇協鑫硅材料名下的江蘇省硅基電子材料重點實驗室獲批研發專項，以激勵其諸多科技成果轉化對行業的突出貢獻。


江蘇省硅基電子材料重點實驗室總面積3000平方米，其中千級潔凈室近200平方米，可對硅錠、硅片表面形貌結構、微區成分、晶向結構、表面反射特征、光致發光衰減及雜質元素等進行全面檢測分析，是一個太陽能級晶體硅材料長晶綜合研究平臺。通過大量研究成果轉化和生產工藝提升，目前多晶電池轉換效率提升至19.5%以上，單晶電池轉換效率提升至20.5%以上，處于行業領先水平。
在晶體質量方面，實驗室在開發新的鑄錠熱場及工藝、提升少子壽命、降低多晶硅片的位錯密度、降低氧濃度和碳濃度、收窄電阻率分布等方面成效卓著，并提升優化了全熔和半熔長晶工藝。在多晶硅片方面，憑借先進的成核技術、高純材料和電阻率優化，為更高效率需求提供選擇；在單晶硅片方面，更加先進的CCz技術氧含量更低且更均勻，金屬雜質累積速度更慢，軸向電阻率分布均勻，波動可以控制在10％以內，更適用于高效N型和鎵摻雜的P型電池。

   依托于硅基電子材料重點實驗室的研發成果及眾多專家的一線攻關，保利協鑫“TS+”第二代黑硅片制絨成本降低約30%，以接近傳統制絨的成本獲取黑硅高轉化效率，電池效率增益將提升至0.5%，引領全國100余條黑硅產線、23吉瓦黑硅產能降本提效，未來“金剛線+黑硅+PERC”技術將成為300W+多晶組件的標配。此外，依托實驗室研發成果并提升長晶設備工藝，客戶反饋保利協鑫鑄錠單晶疊加PERC技術后與Cz單晶效率差僅為0.18%，高效鑄錠單晶組件（60片）可以封裝到310W，而成本大幅降低。利用鑄錠工藝特性和摻鎵技術，鑄錠單晶光衰比Cz單晶產品低0.5%以上。2011年至今，江蘇協鑫硅材料先后推出“鑫單晶”G系列、“鑫多晶”S系列高效硅片系列產品，持續引領全球光伏產業的高效潮流。

江蘇省重點實驗室是省區域性科技創新體系重要基礎設施之一，依托本領域有較強科研實力的重點科研院所院校、科技型企業組建，以應用基礎研究和高技術研究為重點，瞄準國際學科前沿。2015年，經江蘇省科技廳批準籌建，位于徐州的江蘇協鑫硅材料開始著手打造硅基電子材料重點實驗室。經過三年多的建設，實驗室順利完成了各項考核任務，并于2018年4月通過省科技廳專家組驗收。近期，江蘇省硅基電子材料重點實驗室獲批省財政廳、科技廳補助經費300萬元。

早在2011年，成立一年多的江蘇協鑫硅材料研發中心就與浙江大學硅材料國家重點實驗室開展產學研項目合作，2013年，雙方合作項目獲得江蘇省重大科技成果專項資金項目支持。2014年以后，研發中心陸續與南京航空航天大學、中國礦業大學建設了產學研合作關系。2015年以后研發中心立足于“江蘇省硅基電子材料重點實驗室”專業平臺，將專利技術融入生產應用，科技成果轉化碩果累累。

作為全球領先的鑄錠、切片研發制造基地，江蘇協鑫硅材料未來將進一步拓寬學科領域，加強太陽能硅材料、硅基光電子材料等新型功能材料的研究，不斷提升科技成果轉化水平。