6月4日，第十三屆SNEC大會(huì)召開(kāi)光伏科學(xué)家大會(huì)。保利協(xié)鑫首席技術(shù)官萬(wàn)躍鵬博士受邀作《Casting Mono Wafers for Higher Cost Performance》主旨報(bào)告。萬(wàn)躍鵬指出，保利協(xié)鑫鑄錠單晶硅片（鑫單晶）通過(guò)8年的技術(shù)研發(fā)，已經(jīng)成為市場(chǎng)上被接受的有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，市場(chǎng)占有率正在快速提升。 電站成本結(jié)構(gòu)決定了不同類(lèi)型組件的性?xún)r(jià)比，提升電池轉(zhuǎn)換效率是提升鑄錠技術(shù)在更多應(yīng)用場(chǎng)景性?xún)r(jià)比的最重要的選擇，而鑄錠單晶的發(fā)展是必由之路。萬(wàn)躍鵬博士認(rèn)為，保利協(xié)鑫鑫單晶產(chǎn)品經(jīng)過(guò)多年技術(shù)升級(jí)，已經(jīng)具備以下四大優(yōu)勢(shì)：一是更低氧含量、更低光衰，鑫單晶氧含量<6ppm，直拉單晶硅片為12-13ppm，鑫單晶適合N型高溫電池工藝；二是更窄電阻率分布，有利于PERC電池效率優(yōu)化，適合做摻鎵P型、摻磷N型硅片；三是方片無(wú)倒角，適用于疊片、拼片等新組件，外觀(guān)更好；四是碳足跡更低，比直拉單晶每公斤電耗低20多度，轉(zhuǎn)換成每瓦少耗電0.06度。碳足跡在很多海外市場(chǎng)是重要的指標(biāo)。綜上因素，“鑫單晶G3”PERC電池量產(chǎn)效率和組件輸出功率與直拉單晶基本相同，如考慮光衰方面優(yōu)勢(shì)，和直拉單晶組件實(shí)現(xiàn)同瓦輸出，同時(shí)有1美分/瓦的利潤(rùn)空間。

鑄錠單晶產(chǎn)品從2011年規(guī)?；瘧?yīng)用開(kāi)始，已經(jīng)有約1-2GW的電站應(yīng)用。萬(wàn)躍鵬博士指出，對(duì)于發(fā)電穩(wěn)定性來(lái)說(shuō)，法國(guó)電力一直使用法國(guó)Photowatt的鑄錠單晶組件，也有幾百兆瓦應(yīng)用，沒(méi)有任何關(guān)于鑄錠單晶產(chǎn)品在發(fā)電端的問(wèn)題報(bào)道。協(xié)鑫位于陜西、寧夏、安徽三地的實(shí)證電站數(shù)據(jù)顯示，鑫單晶發(fā)電非常穩(wěn)定，與相對(duì)應(yīng)其它類(lèi)型組件相當(dāng)或略好。

對(duì)于未來(lái)鑄錠單晶技術(shù)的發(fā)展?jié)摿?，萬(wàn)躍鵬博士認(rèn)為，鑄錠硅片產(chǎn)品通過(guò)鑄錠形核技術(shù)的提升、摻雜技術(shù)的應(yīng)用、電阻率的控制，氧含量降低等，可以不斷提升硅片性能；通過(guò)穩(wěn)定生產(chǎn)工藝、推廣籽晶的低成本化技術(shù)，可以進(jìn)一步降低成本。鑄錠單晶技術(shù)可以應(yīng)用于N型硅片，滿(mǎn)足N-PERT、N-TOPCON、HJT等電池的需要。保利協(xié)鑫通過(guò)爐臺(tái)改造數(shù)量增加、單臺(tái)裝料量提升，不斷快速增加總產(chǎn)能，滿(mǎn)足客戶(hù)批量需求。2019年全年產(chǎn)能可達(dá)10GW。