法國馬錫--(美國商業資訊)--Alchimer有限公司（Alchimer S.A.）是半導體互連部件和三維硅通孔（TSV）納米薄膜沉積技術的領先提供商。公司今天宣布，在硅通孔的形成方面取得了一項突破性的進展，可免去傳統金屬化步驟之中的一步操作。

　　Alchimer公司的最新產品AquiVia XS可消除標準的絕緣-阻擋-晶種工藝流程中晶種層步驟，從而可以在涂敷了阻擋層之后直接進行體填充（bulk fill）。新產品也是第一套支持鎳金屬化和銅金屬化的沉積解決方案。

　　Alchimer公司首席執行官Steve Lerner說，“AquiVia產品系列的這一新成員擴大了我們的市場，給客戶提供了寶貴的戰略性選擇，也拉大了Alchimer解決方案與傳統干法沉積工藝之間在擁有成本上的差距。芯片制造業的客戶需要跟上市場對垂直集成設備快速擴大的需求，而AquiVia XS解決方案可以同時兼顧薄膜質量、廣泛適用性和成本優勢，這在從前是無法實現的。”

　　對典型的 5 x 50 μm硅通孔進行擁有成本分析，結果顯示，與傳統的干法工藝堆疊相比，采用AquiVia工藝，擁有成本可降低80%。

　　與AquiVia工藝類似，AquiVia XS能夠利用現有的鍍覆設備實現鍍層的沉積，因此，硅通孔金屬化制程完全不必再使用各類干法工藝技術。因此，孔堆疊金屬化工藝的擁有成本最高可降低80%。采用這兩種產品，在20：1及更高深寬比的硅通孔上就可以形成臺階覆蓋性和一致性優良的鍍覆層，即使是采用DRIE/Bosch工藝產生的十分明顯的扇形（scalloped）硅通孔腐蝕斷面也同樣適用。

　　可立即進行AquiVia XS的演示和授權許可。

　　更詳細的擁有成本數據以及利用AquiVia XS工藝生成的薄膜的圖像可在下列網址查閱：kathy.cook@alchimer.com

　　或者

　　Sarah-Lyle Dampoux

　　Loomis Group

　　電話：+33 1 58 18 59 30

　　dampouxs@loomisgroup.com

　　或者

　　SangSok (s.s.) Lee

　　Lenix Technology公司

　　韓國

　　電話：+82-31-919-5561

　　sslee@lenix.co.kr

　　或者

　　長瀨產業株式會社

　　電話：81-3-3665-3747

　　Masato Shimura

　　masato.shimura@nagase.co.jp

　　Yoshinori Oba

　　yoshinori.oba@nagase.co.jp